En esta edición se desarrollaron listas de objetivos para el material incluido en cada capítulo; además, al final de cada uno de ellos se incluye una lista de conclusiones, conceptos y ecuaciones importantes. Estos tres elementos resumen el material para una revisión y aplicación futuras. Se agregó una tabla de resumen al capítulo 4 de polarización de cd de los BJT, en concordancia con las provistas para el análisis de ca de los BJT y la investigación de ca y cd de los FET.
Por otra parte, se utiliza el modelo re del transistor BJT en las primeras secciones de cada capítulo dedicadas al tema, relegando el modelo de parámetro híbrido a secciones posteriores, como si fuera una entidad aparte. De esta manera se puede analizar el material por separado sin afectar el flujo general del que utiliza el modelo re. El nivel de detalle provisto para el modelo de parámetros híbridos sigue siendo casi el mismo, aunque ahora aparece más adelante en el capítulo.
Tabla de Contenido
1. Introducción.
2. Corriente y voltaje.
3. Resistencia.
4. Ley de Ohm, potencia y energía.
5. Circuitos en serie.
6. Circuitos en paralelo.
7. Redes en serie-paralelo.
8. Métodos de análisis y temas seleccionados (CD).
9. Teoremas de redes.
10. Capacitores.
11. Circuitos magnéticos.
12. Inductores.
13. Formas de onda senoidales alternas.
14. Los elementos básicos y los fasores.
15. Circuitos de CA en serie y en paralelo.
16. Redes de CA en serie-paralelo.
17. Métodos de análisis y temas seleccionados (CA) .
18. Teoremas de redes (CA).
19. Potencia (CA).
20. Resonancia.
21. Transformadores.
22. Sistemas polifásicos.
23. Decibeles, filtros y diagramas de Bode.
24. Formas de onda de pulso y la respuesta R-C.
25. Circuitos no senoidales.
26. Análisis de sistemas: una introducción.
